赛微电子还正在对第三代半导体材料制造项目(GaN)进行持续投入。

氮化镓(GaN)作为第三代半导体具有宽带隙(3.4 eV)、击穿场强大(3.3 MW / cm)、电子饱和漂移速度高(2.7 * 107 cm / s)等物理结构优势。在光电器件以及高频高功率电子器件应用上具有广阔的前景。

目前对GaN需求大幅增长的行业包括5G市场、快充产品、LiDAR(激光雷达)。根据Yole数据,2020年全球GaN功率器件市场规模为4600万美元,预计将于2026年增长至11亿美元,年复合增长率达到70%。

同样的,GaN业务也在国内市场拥有巨大的需求及进口替代潜力。

赛微电子的GaN业务以6-8英寸硅基氮化镓(GaN-on-Si)、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)等新型材料与芯片技术为基础,以专业技术及生产团队为条件,通过向GaN芯片设计、制造厂商研发、生产并销售外延材料,向通讯设备、数据中心、新型电源、智能家电等厂商研发、设计并销售GaN芯片获得销售收入。

为了快速布局GaN产业链,赛微电子以参股公司聚能创芯的方式建设GaN芯片制造产线。并取得多项突破,在GaN外延材料方面,开始签订GaN外延晶圆的批量销售合同并陆续交付;在GaN芯片方面,且已推出数款GaN功率芯片产品并进入小批量试产。

产能方面,聚能国际仍在推进GaN芯片制造产线一期产能(5000片/月)的建设。并且公司GaN业务团队掌握了成熟的硅基GaN外延材料生长技术,其生产良率高于90%。

不过,公司2023年6月公告,聚能创芯拟获得外部2.8亿元增资,增资完成后,公司的持股比例将从32.02%变更为25.02%,聚能创芯不再是公司控股子公司,不再纳入公司合并报表范围。赛微电子表示将始终关注并重视第三代半导体产业及相关业务。